晶體振蕩電路圖設(shè)計
來源：http://www.seastar-sys.com 作者：泰河電子技術(shù)部 2015年07月04
1.驅(qū)動能力
驅(qū)動能力說明振蕩晶體單元所需電功率，其計算公式如下：
驅(qū)動能力 (P) = i²⋅Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流，
Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）²。
動能力(1).jpg)
2.振蕩補償
除非在振蕩電路中提供足夠的負極電阻，否則會增加振蕩啟動時間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請在電路設(shè)計時提供足夠的負極電阻。
3.負載電容
如果振蕩電路中負載電容的不同，可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。
頻率和負載電容特征圖器
振蕩回路參數(shù)設(shè)置參考
驅(qū)動能力說明振蕩晶體單元所需電功率，其計算公式如下：
驅(qū)動能力 (P) = i²⋅Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流，
Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）²。
2.振蕩補償
除非在振蕩電路中提供足夠的負極電阻，否則會增加振蕩啟動時間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請在電路設(shè)計時提供足夠的負極電阻。
3.負載電容
如果振蕩電路中負載電容的不同，可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。
頻率和負載電容特征圖器
振蕩回路參數(shù)設(shè)置參考
正在載入評論數(shù)據(jù)...
相關(guān)資訊
- [2024-08-26]黑神話悟空的爆火居然有7AD0080...
- [2024-05-20]Suntsu振蕩器SGO12S-10.000M系列...
- [2024-03-08]JAUCH在電動賽車領(lǐng)域中大放異彩...
- [2024-03-07]Cardinal晶振使用雙源方法有效測...
- [2023-10-11]關(guān)于領(lǐng)先全球的Transko晶振公司...
- [2023-10-09]MTI-Milliren晶振提供的定制解決...
- [2023-10-08]領(lǐng)先同行的富士晶振在電動車充電...
- [2023-06-21]低抖動振蕩器AK2APAF1-156.2500...
