NDK晶振網簡介(發(fā)展)

1948 年  在東京都中央區(qū)日本橋設立南部商工株式會社

1949 年  開始晶體諧振器的制造、銷售

1950 年  公司名變更為日本電波工業(yè)株式會社

         總公司遷移登記至東京都涉谷區(qū)大山町

1954 年  建設、遷移總公司及工廠至東京都涉谷區(qū)代代木新町（現為 涉谷區(qū)西原）

1959 年  開始晶體濾波器的制造

1960 年  開始晶體振蕩器的制造

1962 年  著手在崎玉縣狹山市建立新工廠（現為 狹山事業(yè)所）

1963 年  在狹山事業(yè)所建成人工水晶工廠、開始人工水晶的制造

          在狹山事業(yè)所建成水晶切斷工廠

          在日本證券業(yè)協會進行店面登記

1964 年  在狹山事業(yè)所建成組裝工廠

          在大阪府大阪市設立大阪辦事處

1970 年  在新瀉縣新瀉市建立Hawk Denshi株式會社（現為 新瀉NDK）

1975 年  在美國加利福尼亞州設立美國辦事處

1976 年  在宮城縣古川市（現為 大崎市）建立古川NDK株式會社

1979 年  在馬來西亞建立Asian NDK Crystal Sdn. Bhd.

         為取得更大發(fā)展而解散美國辦事處，設立NDK America,NDK晶振官網http://www.seastar-sys.com/VCTCXO/

　　NDK晶振,NP5032SA晶振,5032石英晶體振蕩器,NP5032SB有源晶振,5032mm體積的石英晶體振蕩器有源晶振,改產品可驅動2.5V的溫補晶振,壓控晶振,VC-TCXO晶體振蕩器產品,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對應自動高速貼片機自動焊接,及IR回流焊接（無鉛對應）,為無鉛產品,超小型,質地輕.產品被廣泛應用到集成電路,程控交換系統,無線發(fā)射基站.

NP5032SB有源晶振規(guī)格書



所有產品的共同點
1：抗沖擊
　　抗沖擊是指產品晶體可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到沖擊.如果產品已受過沖擊請勿使用.因為無論何種晶體產品,其內部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響.
2：輻射
　　暴露于輻射環(huán)境會導致產品性能受到損害,因此應避免陽光長時間的照射.
3：化學制劑/pH值環(huán)境
　　請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解產品或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產品.
4：粘合劑
　　請勿使用可能導致產品所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質量,降低性能.)
5：鹵化合物
　　請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用產品.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內,都可能產生腐蝕.同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂.
6：靜電
　　過高的靜電可能會損壞產品,請注意抗靜電條件.請為容器和封裝材料選擇導電材料.在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作. 

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